CPH6003A-TL-E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 9 dB
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 5V
额定功率Max 800 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.9 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CPH6003A-TL-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买CPH6003A-TL-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CPH6003A-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |
替代型号CPH6003A-TL-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CPH6003A-TL-E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23-6 NPN | 当前型号 | ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 当前型号 |
| 型号： PH60 品牌： 三洋 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor | CPH6003A-TL-E和PH60的区别 |