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BC857QASX
NXP(恩智浦) 分立器件

DFN-B PNP 45V 0.1A

- 双极 BJT - 单


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A 6DFN


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin DFN T/R


BC857QASX中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN

外形尺寸

封装 DFN

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC857QASX引脚图与封装图
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