BSP716NH6327XTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 75 V, 0.122 ohm, 10 V, 1.4 V

表面贴装型 N 通道 2.3A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

得捷:
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 75 V, 0.122 ohm, 10 V, 1.4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 2.3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 75V 2.3A 4-Pin SOT-223 T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 2.3A; 1.8W; SOT223

Verical:
Trans MOSFET N-CH 75V 2.3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

BSP716NH6327XTSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1.8 W

针脚数 4

漏源极电阻 0.122 Ω

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 75 V

上升时间 5.5 ns

输入电容Ciss 237pF @25VVds

下降时间 16.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

BSP716NH6327XTSA1引脚图与封装图

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BSP716NH6327XTSA1	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 75 V, 0.122 ohm, 10 V, 1.4 V	搜索库存