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BSS169H6327XTSA1

BSS169H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V

SIPMOS® N 通道 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3


欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS169H6327XTSA1, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 90mA SOT-23-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 170 mA, 2.9 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23


BSS169H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.36 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 12 Ω

极性 N-CH

耗散功率 360 mW

阈值电压 2.9 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 0.17A

上升时间 2.7 ns

输入电容Ciss 68pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSS169H6327XTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSS169H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V 搜索库存