
容差 ±5 %
正向电压 1V @50mA
耗散功率 1 W
测试电流 8 mA
稳压值 33 V
正向电压Max 1V @50mA
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
封装 DO-41
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 29.9 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BZV85-C33,133 | NXP 恩智浦 | DO-41 33V 1.3W | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BZV85-C33,133 品牌: NXP 恩智浦 封装: DO-41 | 当前型号 | DO-41 33V 1.3W | 当前型号 | |
型号: BZV85-C33,113 品牌: 恩智浦 封装: DO-41 | 类似代替 | NXP BZV85-C33,113 单管二极管 齐纳, 33 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚 | BZV85-C33,133和BZV85-C33,113的区别 | |
型号: 1N4752A-TR 品牌: 威世 封装: DO-204AL | 功能相似 | 齐纳二极管 1.3W,1N47xxA 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor | BZV85-C33,133和1N4752A-TR的区别 | |
型号: 1N4752A 品牌: NTE Electronics 封装: | 功能相似 | Zener Diode 33V 5% 1W Do-41 Case | BZV85-C33,133和1N4752A的区别 |