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BLF182XRU
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 10 to 600MHz, 200W, 28dB, 50V, SOT1121A, LDMOS

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 50V 100mA 108MHz 28dB 250W


得捷:
RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 135V Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 10 to 600 MHz, 200 W, 28 dB, 50 V, SOT1121A, LDMOS


BLF182XRU中文资料参数规格
技术参数

频率 108 MHz

输出功率 250 W

增益 28 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 116pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 135 V

电源电压 50 V

封装参数

封装 SOT-1121

外形尺寸

封装 SOT-1121

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF182XRU引脚图与封装图
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在线购买BLF182XRU
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BLF182XRU Ampleon USA RF Power Transistor, 10 to 600MHz, 200W, 28dB, 50V, SOT1121A, LDMOS 搜索库存