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BGA428H6327XTSA1

BGA428H6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

射频放大器,

**Infineon** 的射频低噪声放大器 LNA 范围涵盖了 MMIC、GPS、增益和 PCS 以及宽带类型和 Glonass 前端模块。 射频放大器具有低功耗、高数据速率接收特性,具有 ESD 保护,可在移动设备中使用。 GPS/GLONASS 模块广泛用于个人导航设备 PND、平板电脑、相机和手机。


得捷:
IC AMP GPS 100MHZ-6GHZ SOT363-PO


欧时:
Infineon 宽带 RF 放大器 BGA428H6327XTSA1, 20 dB功率增益, 最高1.8 GHz, 6引脚 SOT-363封装


贸泽:
射频放大器 RF SILICON MMIC


e络盟:
射频放大器, 20 dB增益/1.4 dB噪声, 100 MHz至6 GHz, 2.4 V至3 V电源, SOT-363-6


艾睿:
RF Amp Chip Single GP 1.85GHz 3V 6-Pin SOT-363 T/R


富昌:
2.4 V - 3 V 8.2 mA 6 GHz 20 dB Low Noise Amplifier IC - SOT-363


Chip1Stop:
RF Amp Single LNA 1.85GHz 3V 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
RF Amplifier IC General Purpose 100MHz ~ 6GHz PG-SOT363-6


BGA428H6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 100MHz ~ 6GHz

供电电流 8.2 mA

针脚数 6

耗散功率 50 mW

增益 20 dB

测试频率 1.8 GHz

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 50 mW

电源电压 2.4V ~ 3V

电源电压Max 3 V

电源电压Min 2.4 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BGA428H6327XTSA1引脚图与封装图
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BGA428H6327XTSA1 Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存