锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSP296
Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  BSP296  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 14V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.43Ω @-1.6A,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.79W Description & Applications| • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 描述与应用| •N沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定


e络盟:
INFINEON  BSP296  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V


Win Source:
SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode Logic Level


BSP296中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

漏源极电阻 800 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSP296引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP296
型号 制造商 描述 购买
BSP296 Infineon 英飞凌 INFINEON  BSP296  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V 搜索库存
替代型号BSP296
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP296

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 100V 1A

当前型号

INFINEON  BSP296  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V

当前型号

型号: ZVN4310GTA

品牌: 美台

封装: SOT-223 N-Channel 100V 1.67A 750mΩ 350pF

功能相似

ZVN4310GTA 编带

BSP296和ZVN4310GTA的区别

型号: BSP296L6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 100V 24A 1.4nF

功能相似

100V,1.1A,N沟道功率MOSFET

BSP296和BSP296L6327的区别

型号: BSP296E6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 100V 1A

功能相似

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223

BSP296和BSP296E6327的区别