BLF4G20-110B,112

NXP(恩智浦) 主动器件

Trans MOSFET N-CH 65V 12A 3Pin LDMOST

RF Mosfet LDMOS 28V 700mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13.5dB 100W LDMOST

得捷:
FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A

贸泽:
RF MOSFET Transistors LDMOS TNS

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 12A 3-Pin LDMOST

BLF4G20-110B,112中文资料参数规格

技术参数

频率 1.93GHz ~ 1.99GHz

额定电流 12 A

漏源极电阻 90 mΩ

漏源击穿电压 65 V

输出功率 100 W

增益 13.5 dB

测试电流 700 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LDMOST-3

外形尺寸

长度 20.02 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.72 mm

封装 LDMOST-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF4G20-110B,112引脚图与封装图

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