BF1217WR,115

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 18mA 400MHz 30dB CMPAK-4

得捷:
MOSFET N-CH DUAL SOT343R

贸泽:
MOSFET N-CH dual gate MOSFET

艾睿:
Trans RF FET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

BF1217WR,115中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

增益 30 dB

测试电流 18 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1217WR,115引脚图与封装图

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BF1217WR,115	NXP 恩智浦	Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R	搜索库存