BLF988,112

Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 0.5 to 1GHz, 600W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-593A

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 50V 1.3A 860MHz 20.8dB 250W SOT539A

得捷:
RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539A Bulk

安富利:
Trans MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539A Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 0.5 to 1 GHz, 600 W, 20 dB, 50 V, LDMOS, SOT-593A

BLF988,112中文资料参数规格

技术参数

频率 860 MHz

输出功率 250 W

增益 20.8 dB

测试电流 1.3 A

输入电容Ciss 220pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF988,112引脚图与封装图

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BLF988,112	Ampleon USA	RF Power Transistor, 0.5 to 1GHz, 600W, 20dB, 50V, LDMOS, SOT-593A	搜索库存