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AUIRF8739L2TR

AUIRF8739L2TR

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 350 µohm, 10 V, 3.9 V

Benefits:

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Advanced Process Technology
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Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC and other Heavy Load Applications
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Exceptionally Small Footprint and Low Profile
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High Power Density
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Low Parasitic Parameters
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Dual Sided Cooling
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175°C Operating Temperature
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Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
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Lead Free, RoHS Compliant and Halogen Free
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Automotive Qualified
AUIRF8739L2TR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 350 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 340 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 57A

上升时间 117 ns

输入电容Ciss 17890pF @25VVds

下降时间 95 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 340W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 DirectFET-L8

外形尺寸

长度 9.15 mm

宽度 7.1 mm

高度 0.74 mm

封装 DirectFET-L8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

AUIRF8739L2TR引脚图与封装图
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AUIRF8739L2TR Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 40 V, 350 µohm, 10 V, 3.9 V 搜索库存