AOK8N80L
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOK8N80L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 245W Tc
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 7.4A
上升时间 51 ns
输入电容Ciss 1650pF @25VVds
额定功率Max 245 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 245W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
AOK8N80L引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AOK8N80L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AOK8N80L 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： TO-247 N-CH 800V 7.4A | 当前型号 | TO-247 N-CH 800V 7.4A | 当前型号 |
| 型号： AOK8N80 品牌： 万代半导体 封装： TO-247-3 N-CH 800V 7.4A | 完全替代 | TO-247 N-CH 800V 7.4A | AOK8N80L和AOK8N80的区别 |
| 型号： AOT8N80L 品牌： 万代半导体 封装： TO-220 N-CH 800V 7.4A | 类似代替 | TO-220 N-CH 800V 7.4A | AOK8N80L和AOT8N80L的区别 |
| 型号： AOTF8N80 品牌： 万代半导体 封装： TO N-CH 800V 7.4A | 功能相似 | 800V,7.4A,N沟道MOSFET | AOK8N80L和AOTF8N80的区别 |