AOD11S60
数据手册.pdf
Alpha & Omega Semiconductor
万代半导体
分立器件
AOD11S60中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 208 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 545pF @100VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AOD11S60引脚图与封装图
暂无图片
替代型号AOD11S60
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AOD11S60 品牌： Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体 封装： TO-252 N-CH 600V 11A | 当前型号 | DPAK N-CH 600V 11A | 当前型号 |
| 型号： AOB11S60L 品牌： 万代半导体 封装： TO-263-3 N-CH 600V 11A | 功能相似 | D2PAK N-CH 600V 11A | AOD11S60和AOB11S60L的区别 |
| 型号： NDD60N360U1-35G 品牌： 安森美 封装： IPAK-3 N-CH 600V 11A | 功能相似 | 600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET | AOD11S60和NDD60N360U1-35G的区别 |
| 型号： IPB65R380C6 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 700V 10.6A | 功能相似 | 650V,10.6A,N沟道高电压功率MOSFET | AOD11S60和IPB65R380C6的区别 |