BCP52-16,115
数据手册.pdf
Nexperia
安世
分立器件
BCP52-16,115中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.35 W
针脚数 3
耗散功率 650 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BCP52-16,115引脚图与封装图
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在线购买BCP52-16,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP52-16,115 | Nexperia 安世 | NXP BCP52-16,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 145 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 | 搜索库存 |
替代型号BCP52-16,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP52-16,115 品牌： Nexperia 安世 封装： SOT-223 | 当前型号 | NXP BCP52-16,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 145 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 | 当前型号 |
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| 型号： BCP52-16 品牌： 意法半导体 封装： SOT-223 -60V -1A 1400mW | 功能相似 | 低功率PNP晶体管 LOW POWER PNP TRANSISTOR | BCP52-16,115和BCP52-16的区别 |
| 型号： BCP5216E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 PNP | 功能相似 | SOT-223 PNP 60V 1A | BCP52-16,115和BCP5216E6327HTSA1的区别 |