MSCSM120AM11CT3AG
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Microchip
微芯
电子元器件分类
MSCSM120AM11CT3AG中文资料参数规格
封装参数
封装 SP3F
外形尺寸
封装 SP3F
其他
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 MSL 1（无限）
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
制造商 Microchip Technology
系列 -
包装 管件
产品状态 在售
FET 类型 2 N 沟道（相角）
FET 功能 碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 Id 254A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10.4 毫欧 @ 120A，20V
不同 Id 时 Vgsth（最大值） 2.8V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 Qg（最大值） 696nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 Ciss（最大值） 9060pF @ 1000V
功率 - 最大值 1.067kW（Tc）
工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 SP3F
基本产品编号 MSCSM120
符合标准
RoHS标准
MSCSM120AM11CT3AG引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MSCSM120AM11CT3AG | Microchip 微芯 | 2个N沟道 1.2kV 254A | 搜索库存 |