NST30010MXV6T1G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
频率 100 MHz
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 661 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 520
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 661 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-563
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
NST30010MXV6T1G引脚图
NST30010MXV6T1G封装图
NST30010MXV6T1G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NST30010MXV6T1G | ON Semiconductor 安森美 | NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | 搜索库存 |