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MC10EL11DR2G

MC10EL11DR2G

数据手册.pdf

5.0 V ECL 1 : 2差分扇出缓冲器 5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer

The MC10EL/100EL11 is a differential 1:2 fanout buffer. The device is functionally similar to the E111 device but with higher performance capabilities. Having within-device skews and output transition times significantly improved over the E111, the EL11 is ideally suited for those applications which require the ultimate in AC performance. The differential inputs of the EL11 employ clamping circuitry to maintain stability under open input conditions. If the inputs are left open pulled to VThe 100 Series contains temperature compensation.

Features

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265ps Propagation Delay
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5ps Skew Between Outputs
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ESD Protection: > 1 KV HBM, > 100 V MM
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PECL Mode Operating Range: VCC= 4.2 V to 5.7 with VEE= 0 V
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NECL Mode Operating Range: VCC= 0 V with VEE= -4.2 V to -5.7 V
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Internal Input Pulldown Resistors
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Meets or Exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test
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Moisture Sensitivity Level 1

For Additional Information, see Application Note AND8003/D

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Flammability Rating: UL-94 code V-0 @ 1/8", Oxygen Index 28 to 34
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Transistor Count = 44 devices
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Pb-Free Packages are Available
MC10EL11DR2G中文资料参数规格
技术参数

频率 1.50 GHz

电源电压DC 4.20V min

无卤素状态 Halogen Free

输出接口数 2

供电电流 26.0 mA

电路数 1

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.2V ~ 5.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MC10EL11DR2G引脚图与封装图
MC10EL11DR2G引脚图

MC10EL11DR2G引脚图

MC10EL11DR2G封装图

MC10EL11DR2G封装图

MC10EL11DR2G封装焊盘图

MC10EL11DR2G封装焊盘图

在线购买MC10EL11DR2G
型号 制造商 描述 购买
MC10EL11DR2G ON Semiconductor 安森美 5.0 V ECL 1 : 2差分扇出缓冲器 5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer 搜索库存
替代型号MC10EL11DR2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MC10EL11DR2G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOIC 8Pin 4.2V

当前型号

5.0 V ECL 1 : 2差分扇出缓冲器 5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer

当前型号

型号: MC100EL11DTG

品牌: 安森美

封装: TSSOP 8Pin 4.2V 2Output

完全替代

5.0 V ECL 1 : 2差分扇出缓冲器 5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer

MC10EL11DR2G和MC100EL11DTG的区别

型号: MC100EL11DR2G

品牌: 安森美

封装: SOIC

完全替代

MC100EL11 系列 1.5 GHz 5.7 V ECL 1:2 差分扇出缓冲器 - SOIC-8

MC10EL11DR2G和MC100EL11DR2G的区别

型号: MC100EL11DTR2G

品牌: 安森美

封装: TSSOP

完全替代

5.0 V ECL 1 : 2差分扇出缓冲器 5.0 V ECL 1:2 Differential Fanout Buffer

MC10EL11DR2G和MC100EL11DTR2G的区别