MT49H16M18SJ-25:B

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V/2.5V 144Pin FBGA

DRAM Memory IC 288Mb 16M x 18 Parallel 400MHz 20ns 144-FBGA 18.5x11

得捷:
IC RLDRAM 288MBIT 3.3NS UBGA

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 16Mx18 1.8V/2.5V 144-Pin FBGA

安富利:
DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 16Mx18 1.8V 144-Pin F-BGA

MT49H16M18SJ-25:B中文资料参数规格

技术参数

位数 18

工作温度Max 100 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 FBGA-144

外形尺寸

长度 18.5 mm

宽度 11 mm

封装 FBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT49H16M18SJ-25:B引脚图与封装图

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