IRG4BC30S-STRLP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRG4BC30S-STRLP中文资料参数规格
技术参数
额定功率 100 W
耗散功率 100000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRG4BC30S-STRLP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRG4BC30S-STRLP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRG4BC30S-STRLP | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRG4BC30S-STRLP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRG4BC30S-STRLP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 100000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRG4BC30S-SPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-263-3 100000mW | 类似代替 | IGBT 晶体管 600V DC-1kHz | IRG4BC30S-STRLP和IRG4BC30S-SPBF的区别 |