IXGP30N120B3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
针脚数 3
耗散功率 300 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXGP30N120B3 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXGP30N120B3 单晶体管, IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚 | 搜索库存 |