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FQPF1N60
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

N-Channel 600V 900mA Tc 21W Tc Through Hole TO-220F-3


立创商城:
N沟道 600V 900mA


得捷:
MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F


FQPF1N60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 1.20 A

极性 N-CH

耗散功率 21W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 900 mA

输入电容Ciss 150pF @25VVds

额定功率Max 21 W

耗散功率Max 21W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQPF1N60引脚图与封装图
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