2N6076
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
2N6076中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -25.0 V
额定电流 500 mA
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 500
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N6076引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N6076
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N6076 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 -25V 500mA | 当前型号 | 硅PNP小信号晶体管 SILICON PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： 2N6076D27Z 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A IC, 25V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | 2N6076和2N6076D27Z的区别 |
| 型号： 2N6076LEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-92 PNP 25V 0.1A | 2N6076和2N6076LEADFREE的区别 |