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199D106X9035D2A1E3

199D106X9035D2A1E3

数据手册.pdf
199D106X9035D2A1E3中文资料参数规格
技术参数

电容 10.0 µF

容差 ±10 %

额定电压 35 V

封装参数

安装方式 Through Hole

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

199D106X9035D2A1E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
199D106X9035D2A1E3 Vishay Semiconductor 威世 CAP TANT 10uF 35V 10% RADIAL 搜索库存
替代型号199D106X9035D2A1E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: 199D106X9035D2A1E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: 10uF 10per

当前型号

CAP TANT 10uF 35V 10% RADIAL

当前型号

型号: 199D106X9035D1V1E3

品牌: 威世

封装: 10uF 35V 10per

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型号: 199D106X5035D1V1E3

品牌: 威世

封装: 10uF 5per

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199D106X9035D2A1E3和199D106X5035D1V1E3的区别

型号: 199D106X0035D2A1E3

品牌: 威世

封装: 10uF 20per

功能相似

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