STGW35NC60WD中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 260000 mW
上升时间 12.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 40 ns
额定功率Max 260 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 260000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGW35NC60WD引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGW35NC60WD | ST Microelectronics 意法半导体 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 260000mW 3Pin3+Tab TO-247 Tube | 搜索库存 |