PMZ350UPEYL
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PMZ350UPEYL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 *
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 127pF @10VVds
耗散功率Max 360mW Ta, 3.125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-883
外形尺寸
封装 SOT-883
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
PMZ350UPEYL引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMZ350UPEYL | NXP 恩智浦 | MOSFET Transistor, P Channel, -1.4A, -20V, 0.33Ω, -4.5V, -700mV | 搜索库存 |