UDZVTE-178.2B
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
UDZVTE-178.2B中文资料参数规格
技术参数
针脚数 2
耗散功率 200 mW
测试电流 5 mA
稳压值 8.2 V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323-2
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.7 mm
封装 SOD-323-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UDZVTE-178.2B引脚图与封装图 
UDZVTE-178.2B引脚图
UDZVTE-178.2B封装图
UDZVTE-178.2B封装焊盘图
在线购买UDZVTE-178.2B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UDZVTE-178.2B | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM UDZVTE-178.2B 单管二极管 齐纳, 外延平面, 8.2 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C 新 | 搜索库存 |
替代型号UDZVTE-178.2B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UDZVTE-178.2B 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-90 | 当前型号 | ROHM UDZVTE-178.2B 单管二极管 齐纳, 外延平面, 8.2 V, 200 mW, SOD-323F, 2 引脚, 150 °C 新 | 当前型号 |
| 型号： UDZSTE-178.2B 品牌： 罗姆半导体 封装： UMD 8.2V | 完全替代 | 200mW，UDZS 系列，ROHM### Zener Diodes, ROHM Semiconductor | UDZVTE-178.2B和UDZSTE-178.2B的区别 |
| 型号： DZ2J082M0L 品牌： 松下 封装： SOD-323F | 功能相似 | PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS DZ2J082M0L 齐纳二极管, 200mW, 8.2V, SMINI2-F5-B | UDZVTE-178.2B和DZ2J082M0L的区别 |