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UCC27512DRST

UCC27512DRST

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27512DRST  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 8A输出, 13ns延迟, SON-6

MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas Instruments

Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。


得捷:
IC GATE DVR LOW SIDE 1CH 6WSON


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:8A 拉:4A


德州仪器TI:
4-A/8-A single-channel gate driver with 5-V UVLO and split outputs in SON package


欧时:
### MOSFET & IGBT Drivers, 6A to 10A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments


e络盟:
驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 8A输出, 13ns延迟, SON-6


艾睿:
Working with high voltage decision making circuits? This UCC27512DRST power driver by Texas Instruments will properly help switch states. Its typical operating supply voltage is 12 V. This device has a maximum propagation delay time of 30 ns. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This device has a typical operating supply voltage of 12 V. Its minimum operating supply voltage of 4.5 V, while its maximum is 18 V. This gate driver has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 140 °C.


安富利:
MOSFET DRVR 8A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Chip1Stop:
Driver 8A 1-OUT Lo Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Verical:
Driver 8A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  UCC27512DRST  DRIVER, GATE, 4.5/18V, 4A/8A, 6SON


UCC27512DRST中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

上升/下降时间 8ns, 7ns

输出接口数 1

针脚数 6

上升时间 22 ns

下降时间 11 ns

下降时间Max 11 ns

上升时间Max 22 ns

工作温度Max 140 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 18V

电源电压Max 18 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 WDFN-6

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 0.75 mm

封装 WDFN-6

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 140℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, 替代能源, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

UCC27512DRST引脚图与封装图
UCC27512DRST引脚图

UCC27512DRST引脚图

UCC27512DRST封装图

UCC27512DRST封装图

UCC27512DRST封装焊盘图

UCC27512DRST封装焊盘图

在线购买UCC27512DRST
型号 制造商 描述 购买
UCC27512DRST TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  UCC27512DRST  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 8A输出, 13ns延迟, SON-6 搜索库存
替代型号UCC27512DRST
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UCC27512DRST

品牌: TI 德州仪器

封装: WSON-6 4.5V 6Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  UCC27512DRST  驱动器, IGBT, MOSFET, 低压侧, 4.5V-18V电源, 8A输出, 13ns延迟, SON-6

当前型号

型号: UCC27512DRSR

品牌: 德州仪器

封装: WSON 6Pin

完全替代

单通道高速,低侧栅极驱动器 Single Channel High-Speed, Low-Side Gate Driver

UCC27512DRST和UCC27512DRSR的区别

型号: UCC27512MDRSTEP

品牌: 德州仪器

封装: WSON 6Pin

功能相似

具有 5V UVLO、采用 SON 封装的增强型产品 4A/8A 单通道栅极驱动器 6-SON -55 to 125

UCC27512DRST和UCC27512MDRSTEP的区别