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UPA814T-A

UPA814T-A

数据手册.pdf
California Eastern Laboratories 分立器件

Trans GP BJT NPN 6V 0.1A 6Pin SOT-363

RF 2 NPN（双） 6V 100mA 9GHz 200mW 表面贴装型 6-SO


得捷:
RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO


贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency


艾睿:
Trans GP BJT NPN 6V 0.1A 6-Pin SOT-363


UPA814T-A中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.11 W

集电极击穿电压 9.00 V

击穿电压集电极-发射极 6 V

最小电流放大倍数hFE 80 @3mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UPA814T-A引脚图与封装图
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