UTV040

Microsemi(美高森美) 分立器件

RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin

RF Transistor NPN 25V 2.5A 470MHz ~ 860MHz 25W Chassis, Stud Mount 55FT

得捷:
RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT

贸泽:
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 45V 2.5A 3-Pin Case 55FT-2

Verical:
Trans RF BJT NPN 45V 2.5A 3-Pin Case 55FT-2

UTV040中文资料参数规格

技术参数

频率 860 MHz

耗散功率 25 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

增益 9 dB

最小电流放大倍数hFE 10 @500mA, 5V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 FT-55

外形尺寸

高度 16.64 mm

封装 FT-55

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UTV040引脚图与封装图

暂无图片

在线购买UTV040

型号	制造商	描述	购买
UTV040	Microsemi 美高森美	RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin	搜索库存