UTV005

Microsemi(美高森美) 分立器件

RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin

RF NPN 24V 750mA 470MHz ~ 860MHz 8W 底座，接线柱安装 55FT

得捷:
RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT

贸泽:
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor

艾睿:
Trans RF BJT NPN 45V 0.75A 3-Pin Case 55FT-2

UTV005中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 8000 mW

击穿电压集电极-发射极 24 V

增益 11 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 5V

额定功率Max 8 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 8000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 FT-55

外形尺寸

高度 16.64 mm

封装 FT-55

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UTV005引脚图与封装图

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UTV005	Microsemi 美高森美	RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55Ft, 4Pin	搜索库存