UPA2379T1P-E1-A

Renesas Electronics 瑞萨电子分立器件

EFLIP-LGA N-CH

MOSFET - 阵列 2 N 沟道（双）共漏 - - 1.8W 表面贴装型 6-EFLIP-LGA（2.17x1.47）

得捷:
MOSFET 2N-CH 12V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 6-Pin EFLIP-LGA T/R

UPA2379T1P-E1-A中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

上升时间 41000 ns

额定功率Max 1.8 W

下降时间 74000 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 XFLGA-6

外形尺寸

封装 XFLGA-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UPA2379T1P-E1-A引脚图与封装图

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