TPS2054DRG4
TI
德州仪器
电子元器件分类
TPS2054DRG4中文资料参数规格
技术参数
上升时间 3000 µs
输入电压Max 5.5 V
输入电压Min 2.7 V
下降时间 4400 µs
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 725 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TPS2054DRG4引脚图与封装图
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在线购买TPS2054DRG4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TPS2054DRG4 | TI 德州仪器 | 0.7A, 2.7-5.5V Quad 2In/4Out Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 16-SOIC -40℃ to 85℃ | 搜索库存 |
替代型号TPS2054DRG4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TPS2054DRG4 品牌： TI 德州仪器 封装： | 当前型号 | 0.7A, 2.7-5.5V Quad 2In/4Out Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 16-SOIC -40℃ to 85℃ | 当前型号 |
| 型号： TPS2054D 品牌： 德州仪器 封装： | 完全替代 | QUAD配电开关 QUAD POWER-DISTRIBUTION SWITCHES | TPS2054DRG4和TPS2054D的区别 |
| 型号： TPS2054DR 品牌： 德州仪器 封装： 16-SOIC | 完全替代 | 0.7A, 2.7-5.5V Quad 2In/4Out Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 16-SOIC -40℃ to 85℃ | TPS2054DRG4和TPS2054DR的区别 |
| 型号： TPS2054DG4 品牌： 德州仪器 封装： | 完全替代 | 0.7A, 2.7-5.5V Quad 2In/4Out Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 16-SOIC -40℃ to 85℃ | TPS2054DRG4和TPS2054DG4的区别 |