TK58E06N1
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
分立器件
TK58E06N1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 3400pF @30VVds
额定功率Max 110 W
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 110 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Switching Voltage Regulators
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TK58E06N1引脚图与封装图 
TK58E06N1引脚图
在线购买TK58E06N1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK58E06N1 | Toshiba 东芝 | MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba | 搜索库存 |
替代型号TK58E06N1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TK58E06N1 品牌： Toshiba 东芝 封装： TO-220-3 | 当前型号 | MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba | 当前型号 |
| 型号： CSD18532KCS 品牌： 德州仪器 封装： TO-220-3 N-Channel 60V 169A | 功能相似 | 60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | TK58E06N1和CSD18532KCS的区别 |