TK40E10N1,S1XS

Toshiba 东芝分立器件

MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba### MOSFET 晶体管，Toshiba

MOSFET ，

欧时:
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40E10N1,S1XS, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin TO-220

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 126W; TO220AB

儒卓力:
**N-CH 100V 90A 8,2mOhm TO220-3 **

TK40E10N1,S1XS中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 3000pF @50VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 126 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 4.45 mm

高度 15.1 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

TK40E10N1,S1XS引脚图与封装图

TK40E10N1,S1XS引脚图

TK40E10N1,S1XS封装图

TK40E10N1,S1XS封装焊盘图

在线购买TK40E10N1,S1XS

型号	制造商	描述	购买
TK40E10N1,S1XS	Toshiba 东芝	MOSFET N 通道 U-MOS VIII-H 系列，Toshiba ### MOSFET 晶体管，Toshiba	搜索库存