
TSM7N90CI C0G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 40.3 W
漏源极电压Vds 900 V
上升时间 38 ns
输入电容Ciss 1969 pF
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40.3W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
TSM7N90CI C0G引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TSM7N90CI C0G | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | N沟道 900V 7A | 搜索库存 |