T55P106M6R3C0200中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 6.30 V
电容 10 µF
等效串联电阻ESR 200 mΩ
容差 ±20 %
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 6.3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 2012
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.2 mm
封装 2012
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 105℃
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
T55P106M6R3C0200引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| T55P106M6R3C0200 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY T55P106M6R3C0200 表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 10 µF, 0805 [2012-12 公制], 0.2 ohm, 6.3 V | 搜索库存 |