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TPC8120
Toshiba 东芝 分立器件

TOSHIBA  TPC8120  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0026 ohm, -10 V, -800 mV

The is a -30V Silicon P-channel MOSFET with low drain-source ON resistance. Suitable for use in lithium ion battery and power management switch applications.

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High forward transfer admittance
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Low leakage current
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Enhancement mode
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Small footprint due to small and thin package
TPC8120中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 7420pF @10VVds

下降时间 275 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

TPC8120引脚图与封装图
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TPC8120 Toshiba 东芝 TOSHIBA  TPC8120  晶体管, MOSFET, P沟道, -18 A, -30 V, 0.0026 ohm, -10 V, -800 mV 搜索库存