SIA469DJ-T1-GE3
数据手册.pdfVISHAY(威世)
电子元器件分类
SIA469DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.3 W
输入电容Ciss 1020pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3300 mW
封装参数
引脚数 6
封装 SC-70
外形尺寸
封装 SC-70
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIA469DJ-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA469DJ-T1-GE3 | VISHAY 威世 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V | 搜索库存 |