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SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3

数据手册.pdf
VISHAY(威世) 电子元器件分类

MOS Power Transistors LV 41V-100V

MOSFET


立创商城:
SQJ974EP-T1_GE3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP T/R


SQJ974EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 48 W

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 785pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SQJ974EP-T1_GE3引脚图与封装图
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