SI3443BDV-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI3443BDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.1W Ta
漏源极电压Vds 20 V
耗散功率Max 1.1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3443BDV-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI3443BDV-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3443BDV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Mosfet p-Ch 20V 3.6A 6-Tsop | 搜索库存 |
替代型号SI3443BDV-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3443BDV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP | 当前型号 | Mosfet p-Ch 20V 3.6A 6-Tsop | 当前型号 |
| 型号： SI3443BDV-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 | 类似代替 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP | SI3443BDV-T1-GE3和SI3443BDV-T1-E3的区别 |