SPA11N80C3XKSA2

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

SPA11N80C3, SP000216321

得捷:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

欧时:
INFINEON MOSFET SPA11N80C3XKSA2

立创商城:
N沟道 800V 11A

贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 11A

SPA11N80C3XKSA2中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.39 Ω

耗散功率 34 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1600pF @100VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

SPA11N80C3XKSA2引脚图与封装图

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