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SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y

数据手册.pdf
(SiTime) 被动器件

High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD

114.285MHz XO Standard LVCMOS, LVTTL Oscillator 1.8V Enable/Disable 4-SMD, No Lead


立创商城:
114.285MHz ±20ppm


得捷:
OSC MEMS 114.2850MHZ LVCMOS TTL


SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y中文资料参数规格
技术参数

频率 114.285 MHz

频率稳定度 ±20 ppm

电源电压 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y引脚图与封装图
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SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y SiTime High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD 搜索库存
替代型号SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y

品牌: SiTime

封装:

当前型号

High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD

当前型号

型号: SIT8209AI-G1-18E-114.285000X

品牌: SiTime

封装: 4-SMD

完全替代

High Frequency Ultra Performance Oscillator, -40℃ to 85℃, 2520, 20ppm, 1.8V, 114.285MHz, Oe, SMD

SIT8209AI-G1-18E-114.285000Y和SIT8209AI-G1-18E-114.285000X的区别