SIHS90N65E-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
耗散功率 625 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 SUPER-247
外形尺寸
封装 SUPER-247
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIHS90N65E-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIHS90N65E-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIHS90N65E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 87 A, 650 V, 0.025 ohm, 10 V, 4 V 新 | 搜索库存 |