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STW27N60M2-EP

STW27N60M2-EP

数据手册.pdf

晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V

N-Channel 600V 20A Tc 170W Tc Through Hole TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3


立创商城:
N沟道 600V 20A


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 / N-Channel 600 V 20A Tc 170W Tc Through Hole TO-247-3


STW27N60M2-EP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 163 mΩ

耗散功率 170 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

上升时间 8.1 ns

输入电容Ciss 1320pF @100VVds

下降时间 6.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

STW27N60M2-EP引脚图与封装图
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STW27N60M2-EP ST Microelectronics 意法半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存