
STD8N60DM2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 570 mΩ
耗散功率 85 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
输入电容Ciss 375pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 85W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD8N60DM2引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STD8N60DM2 | ST Microelectronics 意法半导体 | N-沟道 600 V 600 mOhm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3 | 搜索库存 |