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STD8N60DM2

STD8N60DM2

数据手册.pdf

N-沟道 600 V 600 mOhm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3

表面贴装型 N 通道 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK


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N沟道 600V 8A


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MOSFET N-CH 600V 8A DPAK


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STD8N60DM2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 570 mΩ

耗散功率 85 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

输入电容Ciss 375pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STD8N60DM2引脚图与封装图
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STD8N60DM2 ST Microelectronics 意法半导体 N-沟道 600 V 600 mOhm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3 搜索库存