SI7842DP-T1-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 6.3A 1.4W 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR770DP-T1-GE3

DeviceMart:
MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC

SI7842DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 Dual N-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

额定功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI7842DP-T1-GE3引脚图与封装图

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替代型号SI7842DP-T1-GE3

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： SI7842DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual N-Channel 30V 10A	当前型号	MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC	当前型号
型号： SI7842DP-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual N-Channel 6.3A 30mΩ	类似代替	Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A 8Pin PowerPAK SO T/R	SI7842DP-T1-GE3和SI7842DP-T1-E3的区别
型号： SI7872DP-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR N-Channel 30V 10A	类似代替	MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC	SI7842DP-T1-GE3和SI7872DP-T1-GE3的区别
型号： SI7872DP-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual N-Channel 30V 6.4A	类似代替	MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.017Ω; ID 6.4A; PowerPAK SO-8; PD 1.4W	SI7842DP-T1-GE3和SI7872DP-T1-E3的区别