针脚数 3
漏源极电阻 0.162 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 1330pF @50VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
STF23NM50N引脚图
STF23NM50N封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF23NM50N | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STF23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF23NM50N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STF23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： IPA50R199CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-220FP N-Channel 500V 17A | 功能相似 | INFINEON IPA50R199CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V | STF23NM50N和IPA50R199CP的区别 |
| 型号： IPP50R199CP 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-Channel 500V 17A | 功能相似 | INFINEON IPP50R199CP. 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V | STF23NM50N和IPP50R199CP的区别 |
