STF19NM65N中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 270 mΩ
耗散功率 35 W
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 1900pF @50VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF19NM65N引脚图与封装图
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在线购买STF19NM65N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF19NM65N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STF19NM65N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF19NM65N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 | 当前型号 | N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STF20NM65N 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 650V 15A | 类似代替 | N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STF19NM65N和STF20NM65N的区别 |
| 型号： STF24N65M2 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP-3 N-CH 650V 16A | 类似代替 | N-沟道 650 V 0.23 Ω 30 W 法兰安装 MDmesh M2 功率 Mosfet - TO-220FP | STF19NM65N和STF24N65M2的区别 |
| 型号： TK16A60W5 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | TO-220SIS N-CH 600V 15.8A | STF19NM65N和TK16A60W5的区别 |