STD30PF03L-1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 32.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 70 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 122 ns
输入电容Ciss 1670pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 7.2 mm
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD30PF03L-1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD30PF03L-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET | 搜索库存 |